BSP149 E6327参数:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装:1,000系列:SIPMOS®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:耗尽模式漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):660mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.8欧姆@660mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@400µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):430pF@25V功率-最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:PG-SOT223-4